Samsung Electronics першою починає випуск 10-нанометровій пам’яті ДРАМ

samsung_D-RAM_ddr4_01

Компанія Samsung Electronics оголосила про початок серійного випуску по 10-нанометровій технології перших в галузі компонентів DDR4 щільністю 8 Гбіт і модулів пам’яті об’ємом від 4 ГБ (для ноутбуків) до 128 ГБ (для корпоративних серверів), в яких ці компоненти використовуються. Пам’ять DDR4, за словами Samsung, швидко стає найбільш широко поширеною серед ПК і комп’ютерних мереж по всьому світу, і її останнє досягнення допоможе прискорити перехід всієї галузі на передову продукцію DDR4.

Важливо розуміти, що кордон 20 нм вважався нездоланним при виробництві DRAM, поки в кінці минулого року фахівці Samsung не знайшли спосіб зменшити DRAM до технологічних норм 10 нм. Подолати труднощі, пов’язані з освоєнням подальшого кроку технологічних норм, допомогла імерсія із застосуванням фториду аргону, яка звільняє виробника від обмежень, що накладаються екстремальної ультрафіолетової літографією (EUV).

Випуск 10-нм DRAM пам’яті є черговою важливою технологічною віхою для компанії Samsung після початку масового виробництва 20-нанометровій пам’яті DDR3 в 2014 році.

Перехід до більш тонким нормам дозволяє знизити собівартість пам’яті, забезпечуючи Samsung конкурентну перевагу на ринку, який страждає від скорочення попиту на ПК і ослаблення інтересу до мобільних пристроїв.

Перехід до норм 10 нм при виробництві мікросхем DDR4 DRAM щільністю 8 Гбіт дозволяє більш ніж на 30% збільшити обсяги випуску порівняно з нормами 20 нм.

Нова пам’ять підтримує швидкість передачі даних 3200 Мбіт / с в розрахунку на один висновок, що більш ніж на 30% вище показника 20-нанометровій пам’яті DDR4 DRAM, рівного 2400 Мбіт / с. Крім того, нові модулі пам’яті, в яких застосовуються компоненти DRAM 10-нанометрового класу, відрізняються більш низьким рівнем споживання енергії в порівнянні з попередниками, виготовленими за нормами 20 нм. Це, в свою чергу, дозволить поліпшити енергоефективність наступного покоління високопродуктивних кластерних систем HPC та інших великих корпоративних комп’ютерних мереж, а також ПК і серверів масових сегментів.

Для досягнення вкрай високого рівня масштабованості DRAM компанія Samsung внесла додаткові поліпшення в технологію, використовувану для виробництва 20-нанометровій пам’яті DRAM. Так, південнокорейський гігант поліпшив пропрієтарних структуру осередків пам’яті, удосконалив літографічну технологію QPT і технологія осадження ультратонкого діелектричного шару.

На відміну від флеш-пам’яті NAND, де кожна клітинка представлена ​​тільки транзистором, кожна комірка пам’яті DRAM складається з з’єднаних між собою конденсатора і транзистора. При цьому конденсатор, як правило, розміщується прямо над транзистором. Тобто, елементи розташовані стопкою. У разі 10-нм пам’яті DRAM завдання сильно ускладнюється з огляду на необхідність помістити дуже тонкі конденсатори циліндричної форми з великою енергетичною щільністю поверх кількох десятків транзисторів товщиною кілька нанометрів в процесі створення більш 8 млрд осередків.

Варто відзначити, можливість використовувати наявне обладнання для фотолітографії створює заділ для технології виробництва DRAM наступного покоління (1y) за нормами 10-нанометрового класу.

Використовуючи поточні напрацювання компанія Samsung планує в майбутньому збільшити щільність і продуктивність 10-нанометрових мікросхем DDR4 DRAM, що в свою чергу посилить лідерські позиції Samsung на ринку смартфонів.

*Джерело: Samsung

Samsung Electronics першою починає випуск 10-нанометровій пам’яті ДРАМ обновлено: Квітень 12, 2016 автором: Russ_SA

Залишити відповідь

Ваша e-mail адреса не оприлюднюватиметься. Обов’язкові поля позначені *